Tutorial - Elettronica

 

Dissipare il calore


Cosa posso fare senza dissipatore ?

Abbiamo visto nell' esempio precedente che il semiconduttore può funzionare entro limiti ristretti se non è dotato di un radiatore.

Il "quanto" è possibile dissipare in queste condizioni dipende essenzialmente dal package del semiconduttore.

La tabella seguente riporta alcuni valori per:

  • Rθja : resistenza termica tra giunzione e ambiente
  • Rθjc : resistenza termica tra giunzione e case
  • Pd  @ 25°C  : potenza dissipabile con raffreddamento a 25°C
  • Pd  : potenza dissipabile senza dispositivi di raffreddamento
Package Immagine Rθja Rθjc Pd 
@ 25°C
Pd
SOT-223/243 180 80 1.2 0.3
TO-92 180 80 1.2 0.3
TO-126 90 3 45 1.2
TO-220 34 1,3 130 2
T0-3P 45 1 150 2.5
TO-247
TO-3 35 0.5 300 3
SOT-227

20

0.18

700

  4

I valori sono medi; sarà facilmente possibile individuare transistor con parametri migliori o peggiori di quelli indicati, ma comunque non molto differenti da quanto indicato.
Quello che si voleva rilevare è che, mediamente, la massima potenza dissipabile da un certo package è abbastanza costante anche al variare delle sigle del componente, mentre si tratta di un valore di gran lunga inferiore a quello che si otterrebbe dotando il semiconduttore di un dissipatore di calore o di un sistema di raffreddamento che mantenga la temperatura del case a 25°C. 
Per cui la risposta alla domanda iniziale "Cosa posso fare senza dissipatore?" è: "poco, rispetto a quanto possibile applicando un dissipatore di calore".

Da un punto di vista pratico, come esempio, in questa tabella trovate qualche specifica di transistor adatti come buffer sui pin di uscita del microcontroller.
Si potrà osservare che alcuni modelli hanno Vcesat molto più bassa della media o minore resistenza termica o maggiore potenza della media. Solitamente queste caratteristiche fanno lievitare il costo rispetto a modelli più correnti, ma, dove la temperatura è un limite e non è previsto un dissipatore, sono le uniche scelte possibili per aumentare la potenza trattabile.


Alcuni esempi

Un transistor 2N3055 in TO-3 metallico, con TJmax = 150°C, Rθja= 35 °C/W e Rθjc = 1.52 °C/W  lavora ad una temperatura ambiente massima di 50°C. Quale è la massima potenza dissipabile senza radiatore?

Pd  = (Tj - Ta) / Rθja = (150 - 50) / 35 = 2.8 W

Per un valore reale bisognerà tenere conto del derating, che è 0.657 W/°C e quindi una potenza reale, senza forzare il componente, potrà essere attorno a 1.5-2 W. Al tatto il transistor risulterà molto caldo.

E se applichiamo il transistor ad un dissipatore con  Rθha  = 1 °C/W ?
Considerando la resistenza termica del collegamento meccanico tra transistore e dissipatore Rθch  pari a 0.3 °C/W

Pd  = (Tj - Ta) / (RθjRθch Rθha ) = (150 - 50) / (1.52 + 0.3 +1) = 35 W

Un altro esempio.
Un transistor PN2222A in TO-92 plastico, con TJmax = 150°C, Rθja= 200 °C/W e Rθjc = 83.3 °C/W  lavora ad una temperatura ambiente massima di 50°C. Quale è la massima potenza dissipabile senza radiatore?

Pd  = (Tj - Ta) / Rθja = (150 - 50) / 200 = 0.5 W

Per un valore reale bisognerà tenere conto del derating, che è 12 mW/°C e quindi una potenza reale, senza forzare il componente, potrà essere attorno a 200/300 mW. Al tatto il transistor risulterà caldo.
Un eventuale collegamento ad un  dissipatore migliora le cose, ma non molto, dato che il piccolo package plastico non è previsto per essere collegato ad un dissipatore.

Un altro esempio.
Un transistor TIP32 in TO-220, con TJmax = 150°C, Rθja= 62.5 °C/W e Rθjc = 3.25 °C/W  lavora ad una temperatura ambiente massima di 50°C. Quale è la massima potenza dissipabile senza radiatore?

Pd  = (Tj - Ta) / Rθja = (150 - 50) / 62.5 = 1.6 W

Per un valore reale bisognerà tenere conto del derating, che è 16 mW/°C e quindi una potenza reale, senza forzare il componente, potrà essere attorno al watt o poco più. Al tatto il transistor risulterà caldo.
Un eventuale collegamento ad un dissipatore migliora le cose. Con un dissipatore con  Rθha  = 4 °C/W, considerando la resistenza termica del collegamento meccanico tra transistore e dissipatore Rθch  pari a 0.3 °C/W

Pd  = (Tj - Ta) / (RθjRθch Rθha ) = (150 - 50) / (3.25 + 0.3 + 4) = 13.2 W

Un altro esempio.
Un transistor TIP120 in TO-220, con TJmax = 150°C, Rθja= 62.5 °C/W e Rθjc = 1.92 °C/W  lavora ad una temperatura ambiente massima di 50°C. Quale è la massima potenza dissipabile senza radiatore?

Pd  = (Tj - Ta) / Rθja = (150 - 40) / 62.5 = 1.6 W

Osserviamo che, come nel caso precedente, quello che importa nella dissipazione di potenza senza radiatore è il tipo di package, e non i dati di massima del transistor.  Anche qui, per un valore reale bisognerà tenere conto del derating, che è 16 mW/°C e quindi una potenza reale, senza forzare il componente, potrà essere attorno al watt o poco più. Al tatto il transistor risulterà caldo.
Un eventuale collegamento ad un dissipatore migliora le cose più significativamente del caso precedente, in quanto è più bassa la resistenza giunzione-case. Con un dissipatore con  Rθha  = 4 °C/W ?
Considerando la resistenza termica del collegamento meccanico tra transistore e dissipatore Rθch  pari a 0.3 °C/W

Pd  = (Tj - Ta) / (RθjRθch Rθha ) = (150 - 50) / (1.92 + 0.3 + 4) = 16.07 W

Rθja > (Tj - Ta) / Pd

Questi calcoli sono facilmente ripetibili per ogni situazione e semiconduttore (transistor, MOSFET, diodi, regolatori di tensione, ecc).

In sostanza si determina la necessità di un dissipatore se 

P Rθja > (Tj - Ta) / Pd

ma in pratica occorrerà considerare un buon margine di sicurezza onde non abbreviare troppo la vita al semiconduttore.

Va osservato che, per avere risultati reali, occorre che:

  • il semiconduttore, se usato senza dissipatore, sia realmente in aria libera e non cacciato tra altri componenti e in una posizione dove il calore faticherà a smaltirsi per convezione e irraggiamento.
     

  • la temperatura dell' ambiente massima sia realmente quella introdotta nel calcolo, in quanto la situazione sul tavolo del laboratorio o in soggiorno sarà molto diversa da quella possibile in un veicolo o all' aperto o in un quadro industriale. 


 

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Aggiornato il 20/12/12.